监控单晶炉中硅熔液的液面的状态及坩埚的状态的系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种监控单晶炉中硅熔液的液面的状态及坩埚的状态的系统，所述系统包括：设置在所述硅熔液的液面上方的两个石英销、测距器、处理器和控制器。所述测距器测得所述两个石英销与所述两个石英销在所述液面产生的倒影之间的距离、即第一距离和第二距离，所述处理器根据所述第一距离与所述第二距离的平均值和差值向控制器发送控制信号以调控所述硅熔液的液面位置和液面稳定性，另外，所述系统还能监控单晶炉内是否发生鼓包现象。
基本信息
专利标题 ：
监控单晶炉中硅熔液的液面的状态及坩埚的状态的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123091409.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216304033U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
李腾飞张鹏举王森望余崇江
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李斌栋
优先权 ：
CN202123091409.3
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/26
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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