一种便于排查不良电容的内串电容结构
授权
摘要
本实用新型公开一种便于排查不良电容的内串电容结构，涉及电容领域。该便于排查不良电容的内串电容结构，设备壳的内部活动插接有低压电容，低压电容的外表面活动卡接有挡片，固定金属片固定安装在设备壳的内部，固定金属片的上表面滑动连接有L形活动金属片，L形活动金属片的上表面固定连接有梯形绝缘滑块，梯形绝缘滑块的背面安装有复位弹簧，低压电容与L形活动金属片电性相连接。该便于排查不良电容的内串电容结构，通过在接电插头上安装一只电压表，然后取下低压电容，观察电压变化，可迅速排查出损坏的低压电容，同时方便进行更换。
基本信息
专利标题 ：
一种便于排查不良电容的内串电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123148986.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
CN216562781U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
朱开宇
申请人 ：
惠州市宇信源电子有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市惠阳区新圩镇产径村横岭路段
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123148986.1
主分类号 ：
H01G2/10
IPC分类号 ：
H01G2/10 H01G2/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G2/00
H01G4/00-H01G11/00组中单个组未包含的电容器的零部件
H01G2/10
外壳；封装
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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