MPCVD用三层升降平台
授权
摘要
本实用新型涉及MPCVD用三层升降平台，包括箱体，所述箱体的顶部设置有反应器体，所述箱体内的底部设置有底板，所述底板上设置有第一升降件，所述第一升降件上设置有移动板，所述移动板的上表面设置有第一安装圆盘，所述第一安装圆盘的中部设置有第一套筒，所述第一套筒内设置有第二套筒，所述移动板的中部开设有第二通孔，所述第二套筒的下端穿过所述移动板的底部向下延伸，所述第二套筒的底部设置有第二安装圆盘，所述箱体内设置有第二升降件，所述第二套筒内设置有样品台，所述样品台的下端穿过所述第二套筒的底部向下延伸，所述箱体内设置有第三升降件，本实用新型操作简单，实用性强，利于广泛推广使用。
基本信息
专利标题 ：
MPCVD用三层升降平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123196520.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216427483U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
纪生晓周良杰杨霄王临喜陈涛张能健陈秀华杨张泉
申请人 ：
福建鑫德晶新材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市长乐市文武砂镇壶江路2号中国东南大数据产业园研发楼二期2号楼
代理机构 ：
福州旭辰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢丽花
优先权 ：
CN202123196520.9
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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