双面镀膜装置
授权
摘要
本实用新型公开一种双面镀膜装置，包括反应室，反应室的侧壁上设置有靶材，反应室内设置有第一卷绕滚轴，第一卷绕滚轴设置在基材的传送路径的始端；沿基材的传送路径包括依次设置的第一张紧轮、第二张紧轮、第三张紧轮和第四张紧轮；改向轮设置在第二张紧轮和第三张紧轮之间，改向轮用于改变基材表面的方向；保护组件的第三卷绕滚轴设置在改向轮和第二张紧轮之间，第三卷绕滚轴上卷绕有第一保护膜；第二卷绕滚轴设置在基材的传送路径的末端。通过设置保护组件，当对基材的第一表面镀膜完成后，保护组件的第一保护膜可以贴附在第一表面上，从而对第一表面上的镀层进行保护，避免改向轮划伤第一表面上的镀层，从而提高基材的镀膜质量。
基本信息
专利标题 ：
双面镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123346166.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
CN216663226U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
苏陟
申请人 ：
广州方邦电子股份有限公司;珠海达创电子有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市高新技术产业开发区开源大道11号A5栋第六层
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
吴萌
优先权 ：
CN202123346166.3
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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