一种石墨盘组件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体材料生长设备技术领域，具体涉及一种石墨盘组件。本申请提供的石墨盘组件包括第一石墨盘以及至少一个第二石墨盘，第二石墨盘设置在第一石墨盘上，第二石墨盘上开设有用于放置半导体材料的第一容置槽，第一容置槽为圆弧状，第一石墨盘可传递热量至第二石墨盘，以加热第一容置槽中的半导体材料。本申请提供的一种石墨盘组件，当把半导体材料放到容置槽中时，半导体材料的中间部分会悬空设置，在加热过程中，随着半导体材料由于热胀冷缩变形为微凹状时，会逐渐与第一容置槽的弧形面相贴合，从而使半导体材料各个部分的受热更加均匀，进而提高生长出来的外延片的各个区域的波长一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨盘组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123357417.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216688416U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
邱旋王虎安海岩
申请人 ：
武汉锐晶激光芯片技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市未来科技城A5北C1栋902室
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
安磊
优先权 ：
CN202123357417.8
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 H01L21/673
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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