可防止插接塌缩变形的IGBT封装模块控制端子
授权
摘要
本实用新型涉及一种可防止插接塌缩变形的IGBT封装模块控制端子。其包括端子连接底板以及插接连接部；还包括过渡连接部，插接连接部通过所述过渡连接部与端子连接底板适配连接，插接连接部通过过渡连接部竖直分布于端子连接底板的正上方；所述过渡连接部包括相对端子连接底板以及插接连接部呈倾斜分布的斜面连板，所述斜面连板的一端通过第一弧形过渡区与插接连接部适配连接，斜面连接部的另一端通过第二弧形过渡区与端子连接底板的一端适配连接，第一弧形过渡区的弧形开口方向与第二弧形过渡区的开口方向相反。本实用新型结构紧凑，能有效防止控制端子在插接时的塌缩变形，提高控制端子在使用中的连接稳定性与可靠性。
基本信息
专利标题 ：
可防止插接塌缩变形的IGBT封装模块控制端子
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123360954.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216597569U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
吕岩陈宝川朱阳军苏江
申请人 ：
芯长征微电子制造（山东）有限公司
申请人地址 ：
山东省威海市荣成市崂山南路788号
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
韩凤
优先权 ：
CN202123360954.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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