一种表面SiC涂层石墨托盘的制备方法及应用
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种表面SiC涂层石墨托盘的制备方法及其应用，包括以下步骤：(1)取石墨托盘作为基体；(2)利用含有NH3的气体对石墨托盘进行刻蚀处理；(3)对刻蚀后的石墨托盘表面进行吹扫，去除刻蚀后的残留粉尘；(4)采用化学气相沉积法在处理后的石墨托盘表面沉积SiC涂层。高温条件下NH3气对石墨具有一定的腐蚀性，本申请利用NH3对石墨托盘表面刻蚀，得到粗糙多孔的刻蚀表面，有利于SiC涂层对托盘基体的机械咬合，提高涂层与基体的结合强度。
基本信息
专利标题 ：
一种表面SiC涂层石墨托盘的制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525495A
申请号 ：
CN202210006672.8
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪洋余盛杰潘影柴攀万强
申请人 ：
湖南德智新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园（研发中心C栋2楼202号）
代理机构 ：
长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
魏龙霞
优先权 ：
CN202210006672.8
主分类号 ：
C23C16/32
IPC分类号 ：
C23C16/32 C23C16/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/32
碳化物
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/32
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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