OPC程序的修正方法、系统、存储介质及电子设备
实质审查的生效
摘要
一种OPC程序的修正方法、系统、存储介质及电子设备。所述方法包括：获取待修正OPC程序；接收断点位置信息，并在所述待修正OPC程序中，与所述断点位置信息对应的位置处设置断点；接收运行控制指令，运行所述断点以前预设行数的所述待修正OPC程序，并从所运行的OPC程序中获取图形变量的相关信息，以基于所述图形变量的相关信息进行图形显示，所显示的图像与所述待修正OPC程序的断点位置相关。采用上述方案，可以缩短OPC程序修正所需时间。
基本信息
专利标题 ：
OPC程序的修正方法、系统、存储介质及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355722A
申请号 ：
CN202210009748.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴萍金晓亮冯佳计
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张凤伟
优先权 ：
CN202210009748.2
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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