一种基于MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法，包括：步骤1：对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；步骤2：获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围；步骤3：得到亚阈值摆幅；步骤4：选取任一弱反型区的漏极电流，得到该弱反型区的漏极电流对应的电容和；步骤5：根据选取的弱反型区的漏极电流，得到陷阱能量距带边的距离；步骤6：根据漏极电流噪声功率谱以及电容和，得到栅氧化层陷阱密度；步骤7：选取不同的弱反型区的漏极电流，重复步骤4‑6，得到若干组陷阱能量距带边的距离和栅氧化层陷阱密度，以得到栅氧化层陷阱密度的能量分布。本发明的栅氧化层陷阱表征方法，明显扩展了能量表征范围。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545180A
申请号 ：
CN202210018487.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈华李金龙张彦军王佳硕李仲阳马琪辉何亮
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210018487.0
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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