一种基于人工斯格明子结构的高性能微波传感器
公开
摘要
本发明公开了一种基于人工斯格明子结构的高性能微波传感器，利用刻蚀在衬底基板上的人工斯格明子结构，通过同轴馈电的激励方式，实现了高性能平面微波传感器。本发明在平面微波传感器的结构紧凑、易于集成的优点基础上进一步改进了灵敏度等传感性能，操作简单，性能优异，价格低廉，重量轻便，具有拓扑鲁棒性的特点使其更易于集成。此外，本发明利用斯格明子结构等间隔谐振特点，还能够实现宽频带、多模式协同测量，在保证传感精度的同时，满足了不同频段传感测量的需求。
基本信息
专利标题 ：
一种基于人工斯格明子结构的高性能微波传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609446A
申请号 ：
CN202210020850.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李茁李新华刘亮亮
申请人 ：
南京航空航天大学
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区御道街29号
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
刘辉
优先权 ：
CN202210020850.2
主分类号 ：
G01R27/26
IPC分类号 ：
G01R27/26 G01R31/00 H01L43/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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