磁性斯格明子写入装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种磁性斯格明子写入装置，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。
基本信息
专利标题 ：
磁性斯格明子写入装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021291431.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN212934660U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
侯志鹏卫智健徐姣王亚栋张溪超周艳
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
左帮胜
优先权 ：
CN202021291431.5
主分类号 ：
H01L43/02
IPC分类号 ：
H01L43/02 H01L43/08 H01L43/12 G11C11/16
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
