磁性斯格明子的磁场驱动方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种磁性斯格明子的磁场驱动方法,包括提供微纳磁体,向微纳磁体注入磁畴壁和斯格明子,向微纳磁体施加均匀磁场,其中均匀磁场具有垂直于微纳磁体表面的分量,通过均匀磁场驱动斯格明子与磁畴壁一起运动等步骤。本发明磁性斯格明子的磁场驱动方法,实现了通过均匀磁场驱动斯格明子,无需依赖自旋波、热梯度或磁场梯度驱动,实现了与现有技术不同的驱动方式,无需通过复杂的过程构建温度梯度分布环境,可以使用更简单的器件结构实现对磁性斯格明子的均匀磁场驱动。对微纳磁体中的磁畴壁和斯格明子的类型不作限制,既适用于奈尔型磁畴壁/斯格明子,又适用于布洛赫型磁畴壁/斯格明子,应用范围广。本发明广泛应用于磁器件技术领域。

基本信息
专利标题 :
磁性斯格明子的磁场驱动方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496012A
申请号 :
CN202210085599.8
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邢祥军
申请人 :
广东工业大学
申请人地址 :
广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
代理机构 :
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 :
黎扬鹏
优先权 :
CN202210085599.8
主分类号 :
G11C11/16
IPC分类号 :
G11C11/16  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/16
申请日 : 20220125
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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