一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置
实质审查的生效
摘要
一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步骤：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜；S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期膜上制备磁性纳米点阵列；S3：利用光诱导产生斯格明子：通过施加355～375nm的光脉冲，产生斯格明子；S4：利用光擦除斯格明子：通过施加510～530nm的光脉冲，使斯格明子态不能稳定存在，回复为铁磁态。本发明还提供一种磁性斯格明子的写入及擦除装置，包括磁性多周期膜、光致应变衬底和光诱导单元。本发明的方法和装置产生和擦除斯格明子消耗的能量较低，器件稳定性强，有利于器件微型化发展。
基本信息
专利标题 ：
一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335332A
申请号 ：
CN202111428655.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯志鹏王亚栋孟家慧陈家文高兴森
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区广州大学城外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
代理机构 ：
广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人 ：
辜丹芸
优先权 ：
CN202111428655.5
主分类号 ：
H01L43/12
IPC分类号 ：
H01L43/12 G11C11/15
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/12
申请日 : 20211129
申请日 : 20211129
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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