多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器,其中,多有源桥闭锁升压的抑制方法包括以下步骤:在多有源桥中存在闭锁H桥时,确定闭锁H桥的结电容值,并确定至少一个未闭锁H桥与闭锁H桥之间的等值电感值;根据等值电感值和结电容值确定至少一个未闭锁H桥的两相桥臂相位差;根据两相桥臂相位差对至少一个未闭锁H桥进行内移相控制,以对闭锁H桥的端口电压进行抑制。由此,本发明的多有源桥闭锁升压的抑制方法可以保证当多有源桥中出现闭锁H桥时仍然能够处于安全的电流电压下,并且多有源桥中其他未闭锁的H桥也能够正常运行,提高了多有源桥的工作效率和使用寿命。

基本信息
专利标题 :
多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114553001A
申请号 :
CN202210032532.8
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
闻志国王文赫杜君姜帆孙南郭飞刘立宗
申请人 :
北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;北京智芯半导体科技有限公司
申请人地址 :
北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
欧阳高凤
优先权 :
CN202210032532.8
主分类号 :
H02M3/335
IPC分类号 :
H02M3/335  H02M1/32  
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 3/335
申请日 : 20220112
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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