极低电阻率的硅负极材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了极低电阻率的硅负极材料及其制备方法。一种极低电阻率的P型掺杂硅负极材料的制备方法，包括如下步骤：1）制备高掺杂浓度的P型硅熔体；2）控制硅熔体的温度在设定温度1420‑2000℃；3）快速冷却硅熔体，得到直径1－10毫米的颗粒。另一种极低电阻率的N型掺杂硅负极材料的制备方法，包括如下步骤：1）制备无掺杂剂的硅熔体；2）控制硅熔体的温度在设定温度1420‑2000℃；3）掺入N型掺杂剂；温度达到设定温度后，将N型掺杂剂掺入硅熔体内，同时保持设定温度到形成掺杂剂的饱和溶液，掺杂剂为磷、砷、锑中的一种或几种。4）快速冷却硅熔体，得到直径1－10毫米的颗粒。本发明掺杂浓度高，工艺可靠，成本低，产量高。
基本信息
专利标题 ：
极低电阻率的硅负极材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525580A
申请号 ：
CN202210034872.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田达晰
申请人 ：
田达晰
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉古路求是村67栋1单元702室
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林松海
优先权 ：
CN202210034872.4
主分类号 ：
C30B28/06
IPC分类号 ：
C30B28/06 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 28/06
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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