一种优化电极引出结构的压电压阻耦合电场传感器
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种优化电极引出结构的压电压阻耦合电场传感器，该压电压阻耦合电场传感器通过玻璃层对压电晶体的四周进行支撑；玻璃层与半导体薄膜耦合；半导体薄膜的中心区域可自由振动且与压电晶体耦合；压电晶体和玻璃层也牢固的粘接在基底上；通过该结构可以将待测电场量转化为压电晶体的机械形变量，进而转化为电桥的输出电压量，是一种非接触式的间接电场测量方法，间接放大了压电材料的响应，提高了器件的稳定性和测量精度。
基本信息
专利标题 ：
一种优化电极引出结构的压电压阻耦合电场传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114460380A
申请号 ：
CN202210043331.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李鹏田兵骆柏锋张佳明王志明尹旭刘仲林力姚森敬谭则杰韦杰吕前程胡军何金良欧阳勇
申请人 ：
南方电网数字电网研究院有限公司;清华四川能源互联网研究院
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区中新广州知识城亿创街1号406房之86
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
薛波
优先权 ：
CN202210043331.8
主分类号 ：
G01R29/08
IPC分类号 ：
G01R29/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R29/00
不包括在G01R19/00至G01R27/00各组中的电量的测量或指示装置
G01R29/08
电磁场特性的测量
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 29/08
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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