一种梯度掺杂的宽光谱自供能光电探测器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种梯度掺杂的宽光谱自供能光电探测器，包括梯度掺杂n型半导体薄膜、p‑Si衬底、电极；所述梯度掺杂n型半导体薄膜为元素A的掺杂比例沿厚度方向逐渐变化的ZnO薄膜，其中A为Mn或Mg，0
基本信息
专利标题 ：
一种梯度掺杂的宽光谱自供能光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512569A
申请号 ：
CN202210043596.8
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王兆娜王莲
申请人 ：
北京师范大学
申请人地址 ：
北京市海淀区新街口外大街19号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210043596.8
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/18 H01L31/0296
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/109
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
