一种基于p-n结的近场辐射热流调制器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及热流调制器件技术领域，尤其涉及一种基于p‑n结的近场辐射热流调制器，包括：依次设置的第一金属层、p型半导体层、n型半导体层和第二金属层；其中，p型半导体层和n型半导体层之间存在微纳米量级的真空间隙，用于实现辐射换热；第一金属层连接直流电源的正极，第二金属层连接直流电源的负极，构成电极对，用于对p型半导体层和n型半导体层施加统一的电场。本发明提供的近场辐射热流调制器能够建立连续的热流‑电压关系，调节范围大，易于实现。
基本信息
专利标题 ：
一种基于p-n结的近场辐射热流调制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114442340A
申请号 ：
CN202210047803.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵军明徐德宇裘俊
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
北京格允知识产权代理有限公司
代理人 ：
张莉瑜
优先权 ：
CN202210047803.7
主分类号 ：
G02F1/00
IPC分类号 ：
G02F1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/00
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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