高纯锗单晶霍尔测试样片及采用区熔法制备其的方法
公开
摘要
本发明提供了一种高纯锗单晶霍尔测试样片及采用区熔法制备其的方法，该方法包括以下步骤：将单晶锗籽晶和多晶锗锭间距2～5mm放置；在保护气体下进行熔接，且在熔接前恒温一定时间直至完全熔接；在完全熔接后保温10～20min，然后走车，得到区熔锗单晶；最后进行霍尔测试样片的制作。该方法能够生长出和区熔多晶相同环境下的锗单晶，然后利用区熔锗单晶制作欧姆电极并获得霍尔测试样片，从而可以直接反映出区熔多晶锗锭的纯度，满足实时获得经过区熔提纯后多晶锗锭电学参数的需求。
基本信息
专利标题 ：
高纯锗单晶霍尔测试样片及采用区熔法制备其的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114577561A
申请号 ：
CN202210051279.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柴晨王博张振云林泉马远飞闵振东郭伟才张海涛邢俊
申请人 ：
有研科技集团有限公司;有研国晶辉新材料有限公司
申请人地址 ：
北京市西城区新外大街2号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
佟林松
优先权 ：
CN202210051279.0
主分类号 ：
G01N1/28
IPC分类号 ：
G01N1/28 C30B29/08 C30B13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
