气体喷头
授权
摘要

本申请公开了一种气体喷头,气体喷头包括第一壳体,所述第一壳体具有进气口和与所述进气口连通的第一气室;第二壳体,所述第二壳体的一侧与所述第一壳体相连,所述第二壳体的另一侧设置有出气口,所述第二壳体中具有与所述第一气室相对应并与所述出气口相连的第二气室;筛板,位于所述第一壳体与所述第二壳体之间,所述筛板上具有多个筛孔,所述第一气室与所述第二气室通过所述多个筛孔相连通;其中,所述筛板上筛孔的通气能力随着其与进气口距离的增大而增加。通过控制第一气室的空间并采用通气量非均匀设计的筛板,使得气体可由第一气室和筛板进行均衡,降低气体进入第二气室的压力梯度,实现第二气室内气体层流,还可有效抑制涡流的产生。

基本信息
专利标题 :
气体喷头
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114086155A
申请号 :
CN202210052051.3
公开(公告)日 :
2022-02-25
申请日 :
2022-01-18
授权号 :
CN114086155B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
张瑭张天明
申请人 :
北京中科重仪半导体科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区学清路科技财富中心A座3A09
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡纯
优先权 :
CN202210052051.3
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-15 :
授权
2022-03-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20220118
2022-02-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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