标准片及其制备方法、机差校准方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体技术领域，公开了一种标准片及其制备方法、机差校准方法；该标准片包括基板、第一图案层以及第二图案层；基板具有相对设置的第一面和第二面；第一图案层设于基板的第一面；第二图案层设于基板的第二面，第一图案层在基板上的正投影与第二图案层在基板上的正投影重合。在将标准片进行正面测试时，第一图案层位于测试侧，对第一图案层进行测试；在将标准片进行翻转测试时，第二图案层位于测试侧，对第二图案层进行测试；因此，可以避免光线的散射对TP测试设备校准造成的影响。
基本信息
专利标题 ：
标准片及其制备方法、机差校准方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114415476A
申请号 ：
CN202210056141.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔晓晨杨军张灿王鑫李官正
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202210056141.X
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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