横向光电探测器
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成吸收倍增区，吸收倍增区为轻掺杂N型区；阳极区和阴极区，分别形成于第一外延层上表面的两侧；其中，阳极区和阴极区未直接接触，阳极区、吸收倍增区和阴极区形成横向PIN结；第一电极，形成于阳极区上；第二电极，形成于阴极区上。本发明能够提高半导体光电探测器的工作性能。
基本信息
专利标题 ：
横向光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512558A
申请号 ：
CN202210056649.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周幸叶吕元杰王元刚郭红雨冯志红
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
张一
优先权 ：
CN202210056649.X
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/105 H01L31/107
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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