一种超结构表面耦合横向热电薄膜的光探测器及制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种超结构表面耦合横向热电薄膜的光探测器,所述横向热电薄膜外延地生长在所述斜切衬底表面;所述第一电极与所述第二电极分别设置在所述横向热电薄膜表面沿斜切衬底方向两端;所述具有超结构表面的红外吸收器设置在所述第一电极与所述第二电极之间,与所述横向热电薄膜耦合在一起,且与所述第一电极、所述第二电极绝缘;本发明的有益效果为实现对中远红外光的高效探测和快响应探测;可以实现对中远红外光的室温探测;实现对特定波长的红外光的选择性探测,实现对不同偏振光的选择性探测,可应用于非色散红外气体传感器。结构简单,通过薄膜沉积工艺制作,制作工艺与COMS工艺兼容,易于规模化生产。
基本信息
专利标题 :
一种超结构表面耦合横向热电薄膜的光探测器及制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111562020A
申请号 :
CN202010424023.0
公开(公告)日 :
2020-08-21
申请日 :
2020-05-19
授权号 :
CN111562020B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
熊飞郑烁周荣胡万彪姜鹏
申请人 :
云南大学
申请人地址 :
云南省昆明市五华区翠湖北路2号
代理机构 :
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 :
阳佑虹
优先权 :
CN202010424023.0
主分类号 :
G01J5/12
IPC分类号 :
G01J5/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/12
用热电元件,例如热电偶
法律状态
2022-06-10 :
授权
2020-09-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 5/12
申请日 : 20200519
申请日 : 20200519
2020-08-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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