一种新型熔断体加工工艺
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种新型熔断体加工工艺,包括以下步骤:冲型,在生瓷片上采用镭射激光阵列冲切若干槽孔;堆叠,在生瓷片上堆叠至少两片冲型生瓷片;埋线,将熔丝横向摆放到槽孔上方的生瓷片;堆叠,堆叠剩下一半高度生瓷片;填充,将灭弧材料填充到槽孔竖直方向形成的腔体内;加盖,将未冲型生瓷片盖装到上层冲型生瓷片上;预切,将加盖后产品预切成若干个熔断体单元;烧结,进行烧结处理;剥条,将烧结后产品沿预切纹路掰成一列一列产品条;溅镀,在真空环境下溅镀,产品条端面导通;剥粒,将溅镀产品条掰成单个熔断体,滚镀,制成成品。通过上述方式,本发明一次制成多个成品,效率高,直接埋熔丝,熔丝于槽孔处悬空设置,不影响分断能力。

基本信息
专利标题 :
一种新型熔断体加工工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446719A
申请号 :
CN202210072127.9
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
颜睿志
申请人 :
苏州华德电子有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市吴江市汾湖经济技术开发区(芦墟)
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210072127.9
主分类号 :
H01H69/02
IPC分类号 :
H01H69/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关;继电器;选择器;紧急保护装置
H01H69/00
制造紧急保护装置的设备或加工方法
H01H69/02
熔断器制造
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01H 69/02
申请日 : 20220121
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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