芯片熔断控制结构和熔断治具
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摘要
一种芯片熔断控制结构和熔断治具。所述芯片熔断控制结构包括：第一稳压电源；第二稳压电源；继电器，所述继电器具有输入端、接地端、常开端、公共端和常闭端；所述输入端连接所述第一稳压电源；所述接地端接地；熔断电路，所述熔断电路包括多个导电顶针；待熔断芯片，所述待熔断芯片具有第一熔断控制引脚、第二熔断控制引脚、输入引脚和接地引脚；所述第一熔断控制引脚通过所述导电顶针连接至所述常开端，所述第二熔断控制引脚通过所述导电顶针连接至所述公共端，所述输入引脚连接所述第二稳压电源。
基本信息
专利标题 ：
芯片熔断控制结构和熔断治具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920665748.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-10
授权号 ：
CN210072005U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
骆达坚
申请人 ：
厦门骐俊物联科技股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区塔埔东路167号观音山国际商务营运中心8楼803D单元
代理机构 ：
厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴圳添
优先权 ：
CN201920665748.1
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01R1/04
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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