Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储...
实质审查的生效
摘要

本申请实施例提供的一种Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备和存储介质,所述坏块处理方法包括:读取Nand flash存储器中的坏块数量N;当坏块数量N大于预设阈值时,输出第一提示信息至所述电子设备的显示单元,所述第一提示信息用于提示需要更换Nand flash存储器;和/或,根据待写入数据的重要程度信息对待写入数据进行处理,并将处理后的待写入数据写入Nand flash存储器。本申请实施例对Nand flash存储器中的坏块数量进行预警,以解决现有技术中用户无法获知Nand flash存储器中的坏块导致的存储空间不足的问题,避免数据丢失,保障图像形成装置的正常成像作业。

基本信息
专利标题 :
Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114415961A
申请号 :
CN202210074358.3
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
段程浩
申请人 :
珠海奔图电子有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市金湾区平沙镇升平大道888号02栋、06栋、08栋
代理机构 :
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 :
钱娴静
优先权 :
CN202210074358.3
主分类号 :
G06F3/06
IPC分类号 :
G06F3/06  G06F11/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入,或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 3/06
申请日 : 20220121
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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