提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法
公开
摘要
本发明公开了提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法，包括底座和固定在底座顶部的CV炉，所述CV炉的顶部嵌设安装有炉盖，所述炉盖的底部固定有与CV炉相适配的嵌入盘，所述嵌入盘的表面固定有与CV炉内壁接触的空心密封圈，所述空心密封圈内壁的两侧之间固定有挤压弹簧，所述炉盖的固定有把手，本发明涉及CV炉技术领域。该提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法，通过手动加强密封机构的设置，便于通过压紧和充气同时进行的方式进行密封，有效杜绝外部空气进入CV炉内，实现严格密封，进而可有效提高产品的生产质量，通过锁紧机构的设置，便于对双向螺杆进行锁紧，有效防止在使用过程之中出现密封松懈情况，提高使用安全性。
基本信息
专利标题 ：
提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114577023A
申请号 ：
CN202210079676.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
虎永慧刘进蔡瑞
申请人 ：
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 ：
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈相权
优先权 ：
CN202210079676.9
主分类号 ：
F27D99/00
IPC分类号 ：
F27D99/00 F27D9/00 F27D19/00 C21C7/10
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F27
炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D99/00
本小类其他各组中不包括的技术主题
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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