一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比MnxGe1‑x量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提高了离子相(Mn2+)的掺杂量，进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩，进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明，本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300～625/μm‑2，居里温度为27～319K(超过室温)，剩磁为0.5×10‑5～1.6×10‑5emu/mm2，矫顽力为182～307Oe，磁饱和强度为3000～6150Oe。
基本信息
专利标题 ：
一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114427114A
申请号 ：
CN202210086342.4
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王茺童浩辰王荣飞段潇萧叶书鸣杨杰邱峰何薪鹏
申请人 ：
云南大学
申请人地址 ：
云南省昆明市翠湖北路2号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
霍苗
优先权 ：
CN202210086342.4
主分类号 ：
C30B29/52
IPC分类号 ：
C30B29/52 C30B28/12 C30B33/02 C23C14/16 C23C14/46 C23C14/58 H01L43/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/52
合金
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/52
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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