一种高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构，属于微电子集成电路领域，具有上下对称结构，包括原子开关AS1和AS2、选通管T11、T12、T21和T22、以及信号传输管T3；选通管T11的漏端与原子开关AS1的阴极相接，选通管T21的漏端与原子开关AS2的阴极相接，所述选通管T11的源端和所述选通管T21的源端相接；选通管T12的漏端与原子开关AS1的阴极相接，选通管T22的漏端与原子开关AS2的阴极相接，所述选通管T12和T22的源端均接地；所述信号传输管T3的控制栅与所述选通管T11的源端和所述选通管T21的源端相连。本发明AS型配置单元结构简单，兼容于CMOS工艺，集成度高，具有高速、高可靠性、编程效率高、高开关比等优势，并且抗总剂量能力强。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421943A
申请号 ：
CN202210086678.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许磊刘国柱魏敬和赵伟魏轶聃魏应强隋志远陈浩然周颖
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑婷婷
优先权 ：
CN202210086678.0
主分类号 ：
H03K17/567
IPC分类号 ：
H03K17/567
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/567
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
