包括金刚石层以及金刚石和碳化硅以及任选的硅的复合层的基板
实质审查的生效
摘要
多层基板包括在复合层上CVD生长的金刚石层。该复合层包括金刚石和碳化硅与任选的硅的颗粒。该复合层中的金刚石的载荷水平(按体积计)可为≥5％、≥20％、≥40％、或≥60％。该多层基板能够用作光学器件；用于检测辐射粒子或电磁波的检测器；用于切割、钻孔、机械加工、碾磨、研磨、抛光、涂布、粘结、或钎焊的装置；制动装置；密封条；导热体；电磁波导体；在升高的温度下或在低温条件下用于腐蚀性环境、强氧化性环境、或强还原性环境的化学惰性装置；或用于抛光或平坦化其它器件、晶圆或膜的装置。
基本信息
专利标题 ：
包括金刚石层以及金刚石和碳化硅以及任选的硅的复合层的基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411118A
申请号 ：
CN202210096370.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2015-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W-Q·许埃尔金·E·伊斯勒C·刘查尓斯·D·坦纳查尓斯·J·克莱辛格尔迈克尔·阿格哈亚尼安
申请人 ：
II-VI有限公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
常海涛
优先权 ：
CN202210096370.4
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/32 C23C16/44 C23C16/46 C23C16/56 G01N21/65 C04B41/50 C23C16/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/27
申请日 : 20150121
申请日 : 20150121
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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