用碳化硅与金属合成金刚石的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法，以SiC为碳源，以纯金属Mn、Fe、Ni，Co基合金，Mn基合金，Ni基合金，Fe基合金，Cu-Nb合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒；采用旁热式粉末混合或积层接触工艺，压力为３～５．５ＧＰａ，温度为６００～１５００℃，保温时间为５秒～２０分钟。此种方法合成的金刚石晶体生长对称、完整、等积形晶体比例高，不易相互干扰形成连晶。
基本信息
专利标题 ：
用碳化硅与金属合成金刚石的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1105903A
申请号 ：
CN94111620.4
公开（公告）日 ：
1995-08-02
申请日 ：
1994-01-24
授权号 ：
CN1048420C
授权日 ：
2000-01-19
发明人 ：
洪时明
申请人 ：
成都科技大学
申请人地址 ：
610065四川省成都市磨子桥
代理机构 ：
成都科技大学专利代理事务所
代理人 ：
黄幼陵
优先权 ：
CN94111620.4
主分类号 ：
B01J3/06
IPC分类号 ：
B01J3/06
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备
B01J3/00
利用低于或高于大气压力使物质发生化学或物理变化的方法；其有关设备
B01J3/06
应用超高压方法，例如，用于生成金刚石；其设备，例如塑模或挤压模
法律状态
2003-03-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-01-19 ：
授权
1995-08-02 ：
公开
1995-04-19 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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