一种合成碳化硅纳米棒的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩锅里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩锅上，随后倒置另一石墨坩锅于基片上；将坩锅放置真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1400℃～1600℃，保温时间3～6个小时，硅蒸气与碳纳米管反应，整个装置在Ar的气氛下进行，反应结束后，关掉加热电源，冷却；最后有大量的灰白色的纳米SiC棒粉体产品附着在基片上。所得产品的质量很高，产品杂质少且产率很高，无层错等缺陷；无需使用金属催化剂，所以也避免了因催化剂的混入而导致产品不纯的缺陷；反应设备简单，操作成本低。

基本信息

专利标题：

一种合成碳化硅纳米棒的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1834308A

申请号：

CN200610049667.6

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-03-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

潘颐吴仁兵陈建军杨光义

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

林怀禹

优先权：

CN200610049667.6

主分类号：

C30B1/00

IPC分类号：

C30B1/00 C30B29/36 C30B29/62 C01B31/36