基于GaAs单片集成的太赫兹低噪声通信系统收发前端
授权
摘要
本发明提供基于GaAs单片集成的太赫兹低噪声通信系统收发前端，属于太赫兹无线通信技术领域，包括中频电路和太赫兹电路，太赫兹电路包括本振三倍频器、本振同向3 dB滤波耦合器、射频180°滤波耦合器和两个太赫兹GaAs单片集成分谐波混频器；本振同向3 dB滤波耦合器和射频180°滤波耦合器包括环柱形谐振腔和四个矩形波导，环柱形谐振腔通过四个扇环形凹槽被分为一个大扇环形谐振腔和三个小扇环形谐振腔，大扇环形谐振腔的圆心角角度为小扇环形谐振腔的两倍；四个矩形波导分别与四个扇环形谐振腔对应相连。本发明采用兼具耦合和滤波功能的本振同向3 dB滤波耦合器和射频180°滤波耦合器，实现低本振噪声抑制收发前端。
基本信息
专利标题 ：
基于GaAs单片集成的太赫兹低噪声通信系统收发前端
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114123980A
申请号 ：
CN202210097467.7
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
CN114123980B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
牛中乾张波杨晓波戴炳礼沈芳张季聪樊勇杨晓帆刘轲陈智
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN202210097467.7
主分类号 ：
H03D7/16
IPC分类号 ：
H03D7/16 H01P5/18
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03D 7/16
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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