本发明提供一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法，包括：对P型晶体硅基体的正表面做制绒处理，背表面做抛光处理；在P型晶体硅基体的正表面生长一层氧化硅层，然后在氧化硅层上沉积一层非晶硅层并对其进行磷掺杂，随后进行退火，得到掺杂磷的多晶硅层；去除P型晶体硅基体背表面以及边缘绕扩处的掺杂磷的多晶硅层，并在P型晶体硅基体背表面制备一层氧化铝钝化层，随后沉积一层氮化硅膜；对处理后的P型晶体硅基体的正表面使用紫外皮秒激光器进行开槽，将开槽处的氮化硅膜去除。本发明的有益效果是使用了平顶激光开槽，激光可以直接对氮化硅进行开槽，不要使用掩膜等材料来做阻挡层，简化工艺流程，提高工作效率的同时节约成本。