实现片上单光子源的微腔-波导耦合结构及其设计方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种实现片上单光子源的微腔‑波导耦合结构及其设计方法，其中实现片上单光子源的微腔‑波导耦合结构包括衬底，所述衬底具有第一折射率；所述衬底上设置有椭圆盘和光栅，所述光栅嵌套所述椭圆盘，所述椭圆盘和光栅具有第二折射率；所述衬底上还设有第一平面波导和第二平面波导，所述第一平面波导和第二平面波导具有第二折射率，所述第一平面波导自所述光栅的长轴或短轴的第一侧插入所述光栅；所述第二平面波导自所述光栅的长轴或短轴的第二侧插入所述光栅；其中所述第二折射率大于所述第一折射率。本发明可以产生高亮度、高全同性、高纯度的高性能片上单光子源。
基本信息
专利标题 ：
实现片上单光子源的微腔-波导耦合结构及其设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114265146A
申请号 ：
CN202210102848.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王雪华李俊韬苏榕彬陈星宇
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
梁嘉琦
优先权 ：
CN202210102848.X
主分类号 ：
G02B6/12
IPC分类号 ：
G02B6/12 G02B6/122
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/12
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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