应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法,通过对光刻胶层进行图形化形成光刻窗口,并基于该光刻窗口形成超导连接层,然后在该超导连接层上形成上层超导金属层,实现上下两层超导金属层通过超导连接层的电性连通。由于光刻胶层是通过曝光显影形成光刻窗口,光刻窗口的形状非常规则,所以形成的超导连接层形状非常规则,同时上层超导金属层形成于该规则的超导连接层上,如此实现预设层数超导金属层的互连,得到的电连接结构具有方块电感特点,电感值小且易控制;另外,电连接通路图形规整完好,大幅提升孔洞的导通承载电流,且电流路径没有弯折,电流分布均匀;最后,光刻窗口工艺密度大,可以有效降低电连接结构体积。
基本信息
专利标题 :
应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496915A
申请号 :
CN202210107776.8
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
应利良林倩石炜峰任洁王镇
申请人 :
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 :
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
贺妮妮
优先权 :
CN202210107776.8
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768 H01L27/18 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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