包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。一种半导体器件包含由宽带隙半导体材料制成的半导体本体。多个第一接合区域连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一横向方向上延伸。第一栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第一长度大于第二栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第二长度。第一长度和第二长度的和等于或大于沿着第一横向方向在第一栅极线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。
基本信息
专利标题 ：
包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497204A
申请号 ：
CN202210111043.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2018-05-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D.彼得斯
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN202210111043.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L29/739
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20180515
申请日 : 20180515
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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