温压一体式MEMS传感器芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种温压一体式MEMS传感器芯片及其制备方法，属于敏感元件与传感器领域。本发明采用温压一体式的芯片结构，将温度传感器芯片和压力传感器芯片集成在同一芯片上，可以输出MEMS传感器芯片上的实际温度，并配合调理芯片对压力传感器芯片输出数据进行调理，避免了校准和温度补偿难度大的问题，从而精度更高；且相较于由温度传感器、MEMS压力传感器、ASIC调理芯片组成的温压一体式传感器部件，本发明具有集成度高的优点，将压力传感器和温度传感器集成到单一芯片，可以直接与ASIC调理芯片组合，形成传感器部件，相比于现有的额外增加温度传感器部件的方案，降低了结构的复杂度，减小了制备成本。
基本信息
专利标题 ：
温压一体式MEMS传感器芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114485797A
申请号 ：
CN202210111889.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
毕勤刘晓宇
申请人 ：
无锡胜脉电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区景贤路6号中国物联网国际创新园H6-601
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202210111889.5
主分类号 ：
G01D21/02
IPC分类号 ：
G01D21/02 B81B7/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01D
非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试
G01D21/00
未列入其他类目的测量或测试
G01D21/02
用不包括在其他单个小类中的装置来测量两个或更多个变量
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01D 21/02
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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