基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法
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摘要
本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法，属于微波元器件技术领域，包括硅主基片，在所述硅主基片下方设置有硅副基片，在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜；在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案，所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联；每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案，并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联；本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器，尺寸小至3×3mm，具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸，为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
基本信息
专利标题 ：
基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114156621A
申请号 ：
CN202210115351.1
公开（公告）日 ：
2022-03-08
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
CN114156621B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李晓宇冯楠轩王梦佳彭根斋兰洋胡艺缤张志红
申请人 ：
西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请人地址 ：
四川省绵阳市滨河北路西段268号
代理机构 ：
绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎仲
优先权 ：
CN202210115351.1
主分类号 ：
H01P1/383
IPC分类号 ：
H01P1/383 H01P11/00
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2022-03-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 1/383
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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