一种通讯用硅基集总参数环行器电路模块及其构成的环行器
授权
摘要
本实用新型公开了一种通讯用硅基集总参数环行器电路模块及其构成的环行器，属于微波元器件领域，包括主基片、左基片和右基片，所述主基片包括硅基片、电路和金属化过孔，还包括三层绝缘膜，在每层所述绝缘膜上均制作所述电路，在端口处通过所述金属化过孔将所述电路的一部分引到所述三层膜的最底层膜处、一部分接地，将所述三层膜的最底层膜上的电路制作于所述硅基片上；在所述硅基片的中心位置设置用于放置铁氧体的铁氧体孔；本实用新型将铁氧体埋入硅基片内部，并将电路制作于三层膜上，采用这种形式的电路，结构简单，容易减小铁氧体的尺寸，可以将整体尺寸减小至3×3mm；并且在硅上的加工工艺成熟，成本低，速度快，效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种通讯用硅基集总参数环行器电路模块及其构成的环行器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021709847.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN212303863U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
冯楠轩吴江陈劲松闫欢胡艺缤李晓宇高春燕
申请人 ：
中国电子科技集团公司第九研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市滨河北路西段268号
代理机构 ：
绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎仲
优先权 ：
CN202021709847.4
主分类号 ：
H01P1/38
IPC分类号 ：
H01P1/38
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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