一种横向码放多晶硅原料的石英加料系统及无损添加方法
授权
摘要
本发明公开了一种横向码放多晶硅原料的石英加料系统及无损添加方法，包括热熔箱，所述热熔箱的左侧固定连接有固定板，所述固定板的顶部设置有往复加料机构；所述往复加料机构中包括固定连接在固定板顶部的固定座，所述固定板的顶部滑动连接有横杆，所述横杆的右端贯穿固定座并延伸至固定座的外部，所述横杆的外表面与固定座的内表面滑动连接，所述横杆顶部的左侧固定连接有固定柱，本发明涉及石英加料技术领域。该横向码放多晶硅原料的石英加料系统及无损添加方法，通过开关机构的设置，实现了石英原料的定时自由落料，同时通过接料盒的收集处理，避免了石英颗粒原料洒出到外界，降低了原料的损耗，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种横向码放多晶硅原料的石英加料系统及无损添加方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114164487A
申请号 ：
CN202210123581.2
公开（公告）日 ：
2022-03-11
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
CN114164487B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
马吟霜芮阳刘洁魏兴彤
申请人 ：
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 ：
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈相权
优先权 ：
CN202210123581.2
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2022-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/02
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-03-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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