芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质。该方法在获取第一状态的热熔蜡后,第一状态为软化状态,采用预设嵌入方式,将待研磨样品嵌入第一状态的热熔蜡的一侧,并对第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型,得到第一状态的研磨体;研磨体中待研磨样品保持水平;基于第一状态的研磨体,获取第二状态的研磨体,第二状态为凝固状态;在固定第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后,对研磨体中的待研磨样品进行研磨,得到待分析芯片;对待分析芯片进行失效分析,得到分析结果。该方法提高了研磨稳定性和安全性,也提高了失效分析效率。
基本信息
专利标题 :
芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114441945A
申请号 :
CN202210132348.0
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-02-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
宋涛高强郑朝晖
申请人 :
上海季丰电子股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区祖冲之路1505弄55号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张萍
优先权 :
CN202210132348.0
主分类号 :
G01R31/28
IPC分类号 :
G01R31/28 B24B37/27
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试,例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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