本发明涉及异构单芯片单向注入锁定半导体激光器及其制备方法，包括：在硅晶圆上制备硅直波导和微环，形成硅基微环芯片；并在硅基微环芯片与光放大芯片键合的部位制备锁模结构；反向生长光放大芯片的外延结构并同硅基微环芯片键合；对光放大芯片进行减薄；制作光放大芯片的宽脊波导；制备绝热耦合器；制作共面电极；在硅基微环芯片的微环上方集成磁光晶体并制作磁光芯片电极。本发明中，将磷化铟基、硅基以及钇铁石榴石三种材料通过晶圆键合方式得到异构单芯片单向注入锁定半导体激光器，单芯片实现光、电隔离的同时，实现高效率光耦合；为单向注入锁定激光器平面集成化制造提供了一种可行的制备方法，解决了目前难以实现平面集成化制造的难题。