一种波长可调的宽光谱光电器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种波长可调的宽光谱光电器件,主要包括:由(1)~(5)构成的基本结构。(1)是硅层,位于结构上部,是光线的入射面;(2)是β‑FeSi2层,位于结构中部;(3)是硅层,位于结构下部,是光线的出射面;(4)是上表面金属电极,与硅层形成欧姆接触;(5)是下表面金属电极,与硅层形成欧姆接触;(4)的面积占(1)面积的一小部分,保证足够的光线入射;(5)的面积占(3)面积的一部分,允许部分光线射出,或者占全部,可以把透射而来的光线反射回结构内部;(1)、(2)、(3)材料的厚度均小于其趋肤深度;基本结构可以单独构成简单的器件,也可以互相组合构成复杂的器件;通过各层厚度的变化,可以选择传输的光线波长。本发明利用材料的复折射率和厚度的变化,能实现对传输光线波长的选择,制备宽光谱的光学器件或光电器件,而且结构简单、使用方便,易于制备,成本低,环保。
基本信息
专利标题 :
一种波长可调的宽光谱光电器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114520269A
申请号 :
CN202210143878.5
公开(公告)日 :
2022-05-20
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
熊锡成李敏
申请人 :
河南工程学院
申请人地址 :
河南省郑州市新郑市龙湖镇祥和路1号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210143878.5
主分类号 :
H01L31/0328
IPC分类号 :
H01L31/0328 H01L31/08
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0328
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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