本发明公开了一种波长可调的宽光谱光电器件，主要包括：由(1)～(5)构成的基本结构。(1)是硅层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是β‑FeSi₂层，位于结构中部；(3)是硅层，位于结构下部，是光线的出射面；(4)是上表面金属电极，与硅层形成欧姆接触；(5)是下表面金属电极，与硅层形成欧姆接触；(4)的面积占(1)面积的一小部分，保证足够的光线入射；(5)的面积占(3)面积的一部分，允许部分光线射出，或者占全部，可以把透射而来的光线反射回结构内部；(1)、(2)、(3)材料的厚度均小于其趋肤深度；基本结构可以单独构成简单的器件，也可以互相组合构成复杂的器件；通过各层厚度的变化，可以选择传输的光线波长。本发明利用材料的复折射率和厚度的变化，能实现对传输光线波长的选择，制备宽光谱的光学器件或光电器件，而且结构简单、使用方便，易于制备，成本低，环保。