高稳定性石墨烯纳米孔制备方法
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摘要
本专利介绍了一种高稳定性石墨烯纳米孔制备方法。将机械剥离法制备的高质量石墨烯薄膜转移到带孔氮化硅芯片上形成悬空膜结构。通过氧等离子体刻蚀在石墨烯薄膜中人工引入晶格缺陷，精确控制石墨烯中缺陷密度，用于依附产生纳米孔。将处理过后的石墨烯芯片置于特制的光控流体池中，在两侧施加逐级递增的脉冲电流进行击穿。在击穿过程中，使用脉冲激光对目标区域石墨烯进行辐照提高其晶格温度提高击穿事件发生概率。通过该方法制备出的石墨烯纳米孔尺寸可控性较高，最小击穿直径在1nm以下，孔径最高控制精度0.5nm，孔长最高控制精度0.34nm。相较于传统固体纳米孔，孔径稳定性有着明显提升，在长达1个月的浸泡测试中仍能保持良好的结构一致性。浸泡在1M KCl(pH＝8)溶液中，孔径日增长幅度小于0.7％。
基本信息
专利标题 ：
高稳定性石墨烯纳米孔制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114516615A
申请号 ：
CN202210143912.9
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘智波郭浩炜田建国
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路94号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210143912.9
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 C01B32/19 C01B32/194
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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