一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法，包括基片、嵌入金属、金属布线层、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和微凸点结构；所述基片为来料芯片，基片的顶层有基片钝化层，并开有窗口将基片pad露出；嵌入金属设置在基片钝化层的上方，嵌入金属嵌入到第一绝缘介质层内，金属布线层位于第一绝缘介质层和嵌入金属的上方，金属布线层与基片pad金属互连；第二绝缘介质层位于金属布线层上方，微凸点结构位于第二绝缘介质层上方，微凸点结构与金属布线层金属互连。解决了金属布线层与绝缘介质层结合力较差时，系统组装强度弱、可靠性差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464597A
申请号 ：
CN202210152399.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何亨洋陈雷达
申请人 ：
西安微电子技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路198号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
王艾华
优先权 ：
CN202210152399.X
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/488 H01L21/768 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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