一种p型硒化铋锑热电材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种p型硒化铋锑热电材料及其制备方法，所述制备方法包括：将Bi、Sb、Se和p型掺杂剂按摩尔配比为：(1‑x)、1、3和x进行混合，得到混合物料，其中所述p型掺杂剂包括Na、Sn或者Pb，0.005≤x≤0.03；将所述混合物料放入石英管中，并进行抽真空处理；将装有混合物料的石英管置于热处理炉中，进行合成反应，得到p型BiSbSe3铸锭；将所述p型BiSbSe3铸锭磨成粉末，并装入石墨模具中，将装有p型BiSbSe3铸锭粉末的石墨模具放入烧结炉中进行烧结，得到p型BiSbSe3样品。本发明通过引入Na、Sn和Pb等低价元素，在BiSbSe3基体中产生额外空穴，进而成功合成p型BiSbSe3热电材料。
基本信息
专利标题 ：
一种p型硒化铋锑热电材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551706A
申请号 ：
CN202210157786.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱玉婷赵立东李芏江
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
成都宏田知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
菅秀君
优先权 ：
CN202210157786.2
主分类号 ：
H01L35/16
IPC分类号 ：
H01L35/16 H01L35/34
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 35/16
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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