一种碲化铋基半导体热电材料的合成方法
实质审查的生效
摘要
本发明是采用1)感应耦合辅助的区熔‑定向凝固竖直区熔方法；2)高密度晶核快速形成方法；3)氩气压力调制的固、液、汽体积比控制方法。通过对生长前沿温度梯度、过冷熔融液态温度和结晶前沿处固、液、汽三个聚集态的体积比调制控制晶体的成核和生长过程，获得了一种在室温附近温区ZT达1.2、沿晶体生长方向物性不均匀度≤5％的纳米晶粒镶嵌的碲化铋基棒状热电材料。本发明所合成的热电材料对提高半导体温差电器件性能有巨大的促进，可广泛应用于高效废热回收和活性点温度管理等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种碲化铋基半导体热电材料的合成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447201A
申请号 ：
CN202210079717.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘宏程新利章于道
申请人 ：
苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区学府路99号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
周敏
优先权 ：
CN202210079717.4
主分类号 ：
H01L35/16
IPC分类号 ：
H01L35/16 C30B29/46 C30B29/68 C30B28/06 C30B28/08 C01B19/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 35/16
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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