一种碲化铋热电材料的定向生长方法
公开
摘要
本发明涉及半导体领域。一种碲化铋热电材料的定向生长方法，包括如下步骤：步骤一，准备好待区熔的碲化铋热电材料，将碲化铋热电材料密闭在耐热管件中，耐热管件是石英管或耐热玻璃管；步骤二，将耐热管件放入真空腔体中，真空腔体中安装有一竖直设置的旋转支撑轴，耐热管件呈垂直状安装在旋转支撑轴的顶部，旋转支撑轴内部设有水冷通道；步骤三，利用区熔法制备Bi2Te3晶体。本专利改善了晶体材料径向受热的均匀性，控制了结晶过程中的晶体热传导方向，增大了生长方向上的温度梯度，提高了晶体材料的热电性能，有效地防止了因生长界面倾斜而产生的热电元件边角开裂或边角残缺问题。
基本信息
专利标题 ：
一种碲化铋热电材料的定向生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293260A
申请号 ：
CN202111403206.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴燕青贺贤汉荒木晖
申请人 ：
上海申和投资有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号
代理机构 ：
上海申浩律师事务所
代理人 ：
赵建敏
优先权 ：
CN202111403206.5
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B13/00 C30B13/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
