AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法，涉及射频功率器件领域，通过对器件的三个电极施加相应的直流偏置，分别测出与不同的寄生参数相关的S参数，然后根据这些测得的S参数，基于二端口网络的原理，转换为与寄生电容相关的Y参数矩阵、与寄生电阻和寄生电感相关的Z参数矩阵，之后再将寄生参数去嵌，求得本征参数，本发明的方法针对寄生参数去嵌过程因结构导致的近似误差，提出了在所有测试频率下，逐个求取去嵌前后的S参数相对误差，并对所有频率的误差进行平均化，在保证了参数提取速度的同时，保证了参数的提取精度。
基本信息
专利标题 ：
AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114519275A
申请号 ：
CN202210160133.X
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄永王霄费一帆王东
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
代理机构 ：
芜湖思诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
房文亮
优先权 ：
CN202210160133.X
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G06F119/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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